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工業(yè)大盤(pán)點(diǎn)的風(fēng)吹到了半導體設備
來(lái)源:   作者:蘇州亞平電子有限公司  閱讀:1332次

過(guò)程控制:半導體晶圓制造過(guò)程中不同工藝之后,往往需要進(jìn)行尺寸測量、缺陷檢測等,用于工藝控制、良率管理,要求快速、準確。尺寸測量、缺陷檢測等應用于每道制程工藝之后。IC量測設備用于工藝控制、良率管理,檢測要求快速、準確、非破壞。IC量測在發(fā)展過(guò)程中,在尺寸微縮、復雜3D、新型材料方面面臨各類(lèi)技術(shù)難點(diǎn),面對諸如存儲、CIS、化合物半導體等不同半導體檢測等多種需求不斷升級。IC量測設備的技術(shù)類(lèi)別包括探針顯微鏡、掃描/透射電鏡、光學(xué)顯微鏡、橢偏/散射儀等,技術(shù)發(fā)展方向包括延續現有的非破壞測量技術(shù),電鏡方面推進(jìn)并行電子束技術(shù),散射儀向EUV、X射線(xiàn)延伸以縮小波長(cháng),并聯(lián)合多種測量手段和機器學(xué)習實(shí)現混合測量等。



過(guò)程控制設備包括應用于工藝過(guò)程中的測量類(lèi)設備(Metrology)和缺陷(含顆粒)檢查類(lèi)設備(Inspection)。芯片生產(chǎn)過(guò)程中,在線(xiàn)工藝檢測設備要對經(jīng)過(guò)不同工藝后的晶圓進(jìn)行無(wú)損的定量測量和檢查,從而保證工藝的關(guān)鍵物理參數(如薄膜厚度、線(xiàn)寬、溝/孔深度、側壁角等)滿(mǎn)足要求,同時(shí)發(fā)現可能出現的缺陷并對其進(jìn)行分類(lèi),剔除不合格的晶圓,避免后續工藝浪費。工藝檢測設備的另一個(gè)作用是協(xié)助工藝開(kāi)發(fā)和試生產(chǎn)時(shí)優(yōu)化設備運行參數和光掩模的設計,優(yōu)化整個(gè)工藝流程,縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間,提升成品率并實(shí)現量產(chǎn)。

半導體量測Metrology主要包括:

1)套刻對準的偏差測量;

2)薄膜材料的厚度測量;

3)晶圓在光刻膠曝光顯影后、刻蝕后和CMP工藝后的關(guān)鍵尺寸(CD)測量;

4)其他:如晶圓厚度,彎曲翹曲(Bow/Warp),1D/2D應力stress,晶圓形貌,四點(diǎn)探針測電阻RS,XPS測注入含量等,AFM(原子力顯微鏡)/Metal plus(超聲波)測臺階高度(Step Height)等。



半導體檢測Inspection主要包括:

1)無(wú)圖形缺陷檢測,包括顆粒(particle)、殘留物(residue)、刮傷(scratch)、警惕原生凹坑(COP)等;

2)有圖像缺陷檢測,包括斷線(xiàn)(break)、線(xiàn)邊缺陷(bite)、橋接(bridge)、線(xiàn)形變化(Deformation)等;

3)掩模版缺陷檢測,包括顆粒等;

4)缺陷復檢,針對檢測掃出的缺陷(位置,大小,種類(lèi)),用光學(xué)顯微鏡或掃描電鏡確認其存在。

發(fā)布時(shí)間:2024/2/2  【打印此頁(yè)】  閱讀:1332次
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